高频场效应管参数怎么算

高频场效应管参数如何计算？

随着电子技术的发展，高频场效应管（FET）被广泛应用于射频和微波电路中。FET可以提供高增益、低噪声、高稳定性和高速度等优点，因此在通信、雷达、卫星等高频应用领域得到广泛应用。下面我们将为大家介绍高频场效应管参数的计算方法。

我们需要了解高频FET的结构。高频FET由源极、栅极和漏极组成，其中源极与栅极之间的电容Cgs、栅极与漏极之间的电容Cgd和栅极电阻Rg是FET的关键参数。这些参数直接影响FET的增益、输入输出阻抗、稳定性等性能指标。

我们需要了解如何通过电路测试仪器来测量高频FET的关键参数。我们可以通过阻抗分析仪来测量FET的输入输出阻抗，通过谐振频率仪来测量电容和电感，通过网络分析仪来分析S参数等。

在具备这些基础知识后，我们可以开始计算高频FET的各项参数。以下是各项参数的计算公式。

输入输出阻抗：输入输出阻抗是指FET在输入和输出端口的电阻值。输入输出阻抗可以通过阻抗分析仪测量，也可以通过计算公式进行计算。计算公式如下所示：

Zin = Rg + j*ωLg + 1/j*ωCgs

Zout = Rd + 1/j*ωCgd

Rg为栅极电阻，Lg为栅极电感，Cgs为源极与栅极之间的电容，Cgd为漏极与栅极之间的电容，Rd为漏极电阻，ω为角频率。

S参数：S参数是描述FET在微波频率下的电路性能的重要参数。S参数可以通过网络分析仪进行测量，也可以通过计算公式进行计算。计算公式如下所示：

S11 = Γs=(Zin - Z0) / (Zin + Z0)

S21 = -20*log(∣h21∣)

Z0为特性阻抗，Γs为反射系数，∣h21∣为增益系数。

增益：FET的增益是指输出信号电压与输入信号电压之比，可以通过测量电压增益或功率增益来获得。计算公式如下所示：

AV = Vout / Vin

AP = Pout / Pin

Vout和Vin分别为输出信号和输入信号的电压值，Pout和Pin分别为输出信号和输入信号的功率值。

稳定性：FET的稳定性是指在输入信号强度变化或温度变化时，输出信号的稳定性。FET的稳定性可以通过计算Q点和稳定系数来评估。计算公式如下所示：

Id = (Vgs - Vth)2/(2*rs+Lg)

Q = Vds / Id

Stable Factor (K) = Q(1+∣S11∣)-∣S21∣2

Id为漏极电流，Vgs和Vth分别为栅极电压和临界电压，rs为源极电阻，Lg为栅极电感，Vds为漏极与源极之间的电压，Q为工作电流，K为稳定系数。

高频FET的参数计算需要掌握一定的电子原理和计算方法。了解FET的结构和测试方法，识别各项参数的重要性，熟练掌握计算公式，对于电路设计和实际应用具有重要的作用。