为什么漏极电流增大低频跨导

为什么漏极电流增大低频跨导？

单倍增的JFET在电压变化时，其漏极电流会变化，从而引起源极电流的变化。当JFET处于饱和区时，其有源电极和漏极之间的串联电阻变小，导致输出电流增大。

JFET的工作原理基于PN结，其与BJT在各自的芯片中共存。当没有直流电压施加时，PN结处于截止区。一旦JFET的栅极电压低于门截止电压，就会出现一个小的漏极电流。这种漏电流（IDSS）通常定义为栅极电压为零时的漏电流。当栅极电压从零开始升高，漏极电流也开始增加。

此时，漏极电流的变化将导致源电流发生变化。由于源电极电压被固定为一定值，因此源极电阻将保持不变。但与此漏极电阻将随漏极电流的增加而降低。我们可以将JFET视为一个电流源。这种电流源的特点是，只要JFET的漏极电压保持不变，就不会产生源极电压变化。此时，漏极电流被认为是非常稳定的。

在低频跨导（g m）中，JFET的电流可以通过增加漏极电流来增加。此时，我们可以使用JFET的三个参数来计算低频跨导。这些参数是IDSS，VP和u。VP代表JFET的门截止电压，u代表了JFET的电传导系数。

在低频跨导中，我们可以采用直流等效模型来计算漏极电流和源电流的关系。制造商通常为每个型号的JFET提供参数表，其中包括IDSS，VP和u值。通过使用这些参数，我们可以轻松地计算出JFET的低频跨导。

一般来说，JFET在低频跨导中的性能比BJT要好。这是因为JFET不需要电流放大器的外部电路。换句话说，JFET可以直接将信号接到栅极上。这个特性使得JFET在低噪声放大器中非常受欢迎。

当漏极电流增加时，低频跨导也会随之增加。这个关系可以通过JFET的三个参数来计算。在设计电路时，我们应该考虑到这个关系，并选择适当的JFET型号来获得所需的低频跨导。